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2016.03.29 鉄系超伝導体の臨界温度が4倍に上昇
  

   

東京工業大学応用セラミックス研究所 (4月1日よりフロンティア材料研究所)の平松秀典准教授、元素戦略研究センターの細野秀雄教授と半沢幸太大学院生らは、鉄系超伝導体(用語1)の一つである鉄セレン化物「FeSe」のごく薄い膜を作製し、8ケルビン(K=絶対温度、0Kはマイナス273度C)で超伝導を示すバルク(塊)より4倍高い35Kで超伝導転移させることに成功した。FeSe薄膜が超伝導体ではなく、絶縁体(用語2)のような振る舞いを示すことに着目し、電気二重層トランジスタ(用語34)構造を利用して電界を印加することにより実現した。

トランジスタ構造を利用したキャリア生成方法は、一般的な元素置換によるキャリア生成とは異なり、自由にかつ広範囲にキャリア濃度を制御できる特徴がある。このため、元素置換によるキャリア添加が不可能な物質でも適用が可能なことから、今後の鉄系層状物質でより高い超伝導臨界温度の実現を狙う有力な方法になると期待される。

成果は3月29日(米国時間28日)に「米国科学アカデミー紀要(Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America」のオンライン速報版に掲載される。 


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化学工業日報(2016年4月4日記事)
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Chem-Stationスポットライトリサーチ
Superconductor Week (2016年7月23日号P11-P13)

 



   
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